试验十电感耦合等离子体化学气相沉积法CCP制备硅基薄膜一.pdf下载

weixin_39821746 2022-01-12 14:16:25

试验十电感耦合等离子体化学气相沉积法CCP制备硅基薄膜一.pdf , 相关下载链接：https://download.csdn.net/download/weixin_40895192/31792589?utm_source=bbsseo

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试验十电感耦合等离子体化学气相沉积法CCP制备硅基薄膜一.pdf

将腔体中的两个电极，一个加射频电流，另一个接地，由两电极之间的反应气体形成的等离子体被称为电容耦合等离子体(Capaciltively Coupled Plasma，CCP)。高频电流经感应线圈产生高频电磁场，腔体内反应气体形成的等离子体被称为电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)。 ...

在半导体干法刻蚀领域，ICP（电感耦合等离子体）和CCP（电容耦合等离子体）是两种核心技术，它们在原理、设备结构、工艺特性和适用场景上存在显著差异。以下从五个维度进行系统对比：ICP（电感耦合等离子体）CCP（电容耦合等离子体）ICP优势：ICP劣势：CCP优势：CCP劣势：未来趋势：5nm以下制程中，ICP将主导导体刻蚀，而CCP持续优化深孔能力；混合源与脉冲等离子体技术是突破方向。

离子越重，获得的能量就越少。它通常伴随着气体中激发的原子或分子的光发射，当产生可见光时，用肉眼也可以间接观察到 等离子体的产生，。刻蚀精度高：在CCP刻蚀过程中，由于射频电场的存在，离子的轰击方向性较好，这意味着离子主要是垂直于待刻蚀表面的方向移动。刻蚀速度更快：因为CCP刻蚀系统能够产生高密度的等离子体，RF（射频）电源产生的电场可以加速离子，使它们以更高的能量撞击待刻蚀的材料，从而提高刻蚀速度。一个知识分享的社区，陆续上传一些芯片制造各工序，封装与测试各工序，建厂方面的知识，供应商信息等半导体资料，

摘自《等离子体放电原理与材料处理》1.3.1 摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.1

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