非简谐效应Anharmonicity.pdf下载

weixin_39821746 2023-09-14 23:30:18

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研究背景赫斯勒化合物包括半赫斯勒（HH）和全赫斯勒（FH）半导体/金属，其组成分别表示为XYZ和XY2Z（X和Y是具有不同电荷的金属元素，而Z是用作阴离子的主族元素）。电正性最强的X元素和电负性最强的Z元素形成面心立方（FCC）晶格，其中八个四面体空隙（间隙位置）要么被一半占据，要么被完全占据。最近，有研究报道了一系列FH化合物，如Ba2B iAu、Sr2SbAu、Ca2HgPb和Ba2AgSb，具有高热电转换效率zT值，这主要归因于超低的晶格热导率κL。特别是，在FH化合物Ba2BiAu中，有非常高的zT

此外，当温度达到310 K左右时，声子隧穿的贡献超越了类粒子声子传播，导致了Peierls-Boltzmann输运方程中传统的声子气模型失效。为解决该问题，香港科技大学机械与航天航空工程系黄宝陵教授团队、山东高等技术研究院郭瑞强教授团队以及美国达特茅斯学院Geoffroy Hautier 教授团队合作，提出了一种综合考虑多种因素的导热模型，该模型不仅精确考虑了有限温度对材料热力学性能的影响，而且在传统导热模型的基础上增加了额外的导热通道，从而能够精准预测无铅卤化物双钙钛矿的热导率，揭示其导热机理。

1.Van Zandt LL, Saxena SK (1992) Identifying and Interpreting Spectral Feaures of DNA in the Microwave-Submillimeter Frequency Range. In: Sarma RH, Sarma MH (eds) Structure and Function, vol 1: Nucele...

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