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IRLR3410TRPBF-VB-MOSFET产品应用与参数解析下载
weixin_39821526
2023-11-10 13:00:33
N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V);TO252 , 相关下载链接:
https://download.csdn.net/download/VBsemi/88475349?utm_source=bbsseo
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IRLR3410TRPBF-VB-MOSFET产品应用与参数解析下载
N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V);TO252 , 相关下载链接:https://download.csdn.net/download/VBsemi/884753
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IRLR3410TRPBF
-
VB
-
MOSF
ET
产品
应用
与
参数
解析
IRLR3410TRPBF
是一款由
VB
Semiconductor制造的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(
MOSF
ET
),设计用于电源管理中的开关
应用
。这款
MOSF
ET
具有以下主要特点: 1. **TrenchF
ET
技术**:采用TrenchF
ET
技术,这是一种...
IRLR3103TRPBF-
VB
-
MOSF
ET
产品
应用
与
参数
解析
IRLR3103TRPBF是一款N沟道TrenchF
ET
功率
MOSF
ET
,设计用于各种
应用
,包括OR-ing(并联开关)和服务器系统。这款
MOSF
ET
的特点是其高效的性能和高可靠性,它符合RoHS指令2011/65/EU的要求,确保了环保标准。 在电气...
IRLR2905TRPBF-
VB
一款N沟道TO252封装
MOSF
ET
应用
分析
特别是IRLR2905TRPBF-
VB
这一型号的N沟道
MOSF
ET
,在众多
应用
中都表现出了卓越的性能。 IRLR2905TRPBF-
VB
是一款采用TO252封装的
MOSF
ET
器件,能够承受高达60V的漏源电压(VDS),并且在25°C时能够持续提供45A的电流。...
IRLR2705TRPBF-
VB
一种N沟道TO252封装MOS管
IRLR2705TRPBF-
VB
是一种N沟道TO252封装MOS管,具有TrenchF
ET
® Power
MOSF
ET
结构。该MOS管的最大 junction temperature 为175°C,maximum power dissipation 为100W。 该MOS管的主要特点包括: * 低on-state阻抗...
IRLR2805TRPBF-
VB
一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
IRLR2805TRPBF-
VB
是一种采用TO-252封装的N-Channel沟道功率
MOSF
ET
(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),它具有60V的额定电压和45A的最大连续漏电流。其主要特征包括极低的导通电阻RDS(ON)为24毫欧姆,在VGS(栅源...
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