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SFT1342-TL-E-VB-MOSFET产品应用与参数解析下载
weixin_39821526
2023-11-17 13:31:33
P沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.5Vth(V)；TO252 , 相关下载链接：
https://download.csdn.net/download/VBsemi/88492486?utm_source=bbsseo
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SFT1342-TL-E-VB-MOSFET产品应用与参数解析下载
P沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.5Vth(V)；TO252 , 相关下载链接：https://download.csdn.net/download/VBsemi/884924
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SFT1342
-
TL
-E-
VB
-
MOSF
ET
产品
应用
与
参数
解析
【
SFT1342
-
TL
-E
MOSF
ET
】是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（
MOSF
ET
），适用于高侧开关、全桥转换器以及LCD显示器的DC/DC转换器等
应用
。这款器件具有低的导通电阻和较高的电压承受能力，提升了电源管理效率和...
SFT1307-
TL
-E-
VB
一款P-Channel沟道TO252的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍与
应用
说明
SFT1307-
TL
-E-
VB
是一款P型沟道的
MOSF
ET
晶体管，主要
应用
于需要高功率和高效率的开关电源转换器中。它采用TO252封装形式，具有较低的热阻，适合高温环境下的稳定工作。 在
参数
上，该
MOSF
ET
的额定最大漏源电压为-40V...
SFT1446-
TL
-H-
VB
一款N-Channel沟道TO252的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍与
应用
说明
SFT1446-
TL
-H-
VB
是一款N沟道的TO-252封装的
MOSF
ET
晶体管，其主要
参数
包括：最大漏极-源极电压为60V，最大漏极电流为45A，漏源导通电阻RDS(ON)为24毫欧（在栅极-源极电压VGS=10V时测量），并且阈值电压Vth为1.8V。...
SFT1342
-
TL
-E-
VB
_
MOSF
ET
产品
应用
与
参数
解析
由于其负的额定电压和额定电流特性，
SFT1342
-
TL
-E特别适用于需要控制和开关负电压的电路
应用
。
SFT1342
-
TL
-E详细
参数
说明 - 极性 P沟道- 额定电压 -60V- 额定电流 -22A- 导通电阻 48mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V- 门源...
SFT1446-
TL
-H-
VB
一款N—Channel沟道TO252的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍与
应用
说明
4. **工业自动化**：在工业控制和自动化系统中，SFT1446-
TL
-H-
VB
可用于开关控制、电源管理和功率逆变器等
应用
。3. **LED照明**：由于其高电流和低导通电阻特性，SFT1446-
TL
-H-
VB
可用于LED驱动器和照明系统中。1. **...
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