社区
下载资源悬赏专区
帖子详情
SI2369DS-T1-GE3-VB-MOSFET产品应用与参数解析下载
weixin_39820535
2023-11-17 14:01:07
P沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V);SOT23 , 相关下载链接:
https://download.csdn.net/download/VBsemi/88492460?utm_source=bbsseo
...全文
5
回复
打赏
收藏
SI2369DS-T1-GE3-VB-MOSFET产品应用与参数解析下载
P沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V);SOT23 , 相关下载链接:https://download.csdn.net/download/VBsemi/8849246
复制链接
扫一扫
分享
转发到动态
举报
写回复
配置赞助广告
用AI写文章
回复
切换为时间正序
请发表友善的回复…
发表回复
打赏红包
SI
2369
DS-T
1
-GE
3
-VB-MOSFET
产品
应用
与
参数
解析
**
SI
2369
DS-T
1
-GE
3 MOSFET
产品
概述**
SI
2369
DS-T
1
-GE
3是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由先进的TrenchFET技术制造。这款MOSFET适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换...
Si
2338
DS-T
1
-GE
3
-VB-MOSFET
产品
应用
与
参数
解析
《
Si
2338
DS-T
1
-GE
3 MOSFET
产品
详解及
应用
》
Si
2338
DS-T
1
-GE
3是一款N沟道MOSFET,它采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,能显著提高器件的性能和效率。这款MOSFET的主要特点是其低导通电阻(RDS(ON)),在...
SI
2319
DS-T
1
-GE
3
-VB-MOSFET
产品
应用
与
参数
解析
**
SI
2319
DS-T
1
-GE
3 MOSFET 知识点
解析
**
SI
2319
DS-T
1
-GE
3是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由VB Semiconductor制造。这款MOSFET主要用于移动计算设备,如笔记本适配器开关和DC/DC转换器中的负载...
SI
2309
DS-T
1
-GE
3
-VB-MOSFET
产品
应用
与
参数
解析
SI
2309
DS-T
1
-GE
3是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于高压隔离和高性能
应用
。以下是这款MOSFET的关键特性和
参数
: **主要特点** 1. **隔离封装**:该器件具有隔离包装,提供了2.5 kVRMS的...
SI
2318
DS-T
1
-GE
3
-VB-MOSFET
产品
应用
与
参数
解析
SI
2318
DS-T
1
-GE
3是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于各种直流到直流转换器等
应用
。该器件采用TrenchFET技术,提供高效能和低电阻特性,适用于需要高开关速度和低功耗的场合。 **主要特点...
下载资源悬赏专区
13,103
社区成员
12,754,562
社区内容
发帖
与我相关
我的任务
下载资源悬赏专区
CSDN 下载资源悬赏专区
复制链接
扫一扫
分享
社区描述
CSDN 下载资源悬赏专区
其他
技术论坛(原bbs)
社区管理员
加入社区
获取链接或二维码
近7日
近30日
至今
加载中
查看更多榜单
社区公告
暂无公告
试试用AI创作助手写篇文章吧
+ 用AI写文章