MOSFET的短沟道效应.pdf下载

weixin_39821526 2023-11-17 23:00:39
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MOSFET 的短沟道效应 MOSFET 的短沟道效应是指 MOSFET 的沟道长度小于 3um 时发生的效应。短沟道效应是由以下五种因素引起的，它们是：1) 由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场增大；2) 内建电势既不能按比例...
短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管的散粒噪声模型.pdf
本文主要研究短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的散粒噪声模型。随着MOSFET器件的尺寸进入纳米量级，器件的噪声机理逐渐开始转变。传统的热噪声与漏源电流模型精度出现下降，散粒噪声成为器件噪声不可...
功率MOSFET的特性.pdf
功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种电压控制型器件，广泛应用于开关电源、马达驱动、汽车电子和电源管理等领域。功率MOSFET的特性极为关键，关系到电路的性能和安全性。 首先，功率MOSFET的绝对...
纳米尺度金属-氧化物半导体场效应晶体管沟道热噪声模型.pdf
在纳米尺度下，MOSFET器件的短沟道效应和热载流子效应尤为明显。热载流子效应是指由于器件尺寸缩小，导致电场增强，电子获得的能量超过了晶格温度，进而形成非平衡状态，这在微观层面上表现为电子与晶格发生频繁碰撞...
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