泊松流生成模型简介-CSDN博客

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2024-01-14 13:32:25

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matlab优化泊松方程代码漂移扩散模型这里是1D，2D和3D模型，它们使用有限差分求解半导体Poisson-Drift-Diffusion方程。这些模型可用于为大多数半导体器件建模。该模型的“双电荷载流子”版本当前可解决光照下的太阳能电池。 “单电荷载流子”版本解决了一种材料的电流-电压曲线，该材料仅具有空穴作为自由载流子，并且在黑暗中处于变化的施加电压下。可以修改所有模型以求解其他系统（即，通过更改边界条件，添加重组率和修改生成率）。使用称为Gummel方法的自洽迭代方法求解方程。为了确保连续性方程的数值稳定性，使用了Scharfetter Gummel离散化以及新旧解决方案的线性混合。 1D /漂移扩散/单电荷载体/ src文件夹还包含使用Slotboom变量的实现，这是在不使用Scharfetter Gummel离散化的情况下实现稳定性的另一种方法。 C ++实现的要求：1D版本：C ++ 11编译器。其中包含用于g ++编译器的make文件以及可用于通过IDE QT Creator进行编译的.pro文件。同样，输入文件：“ parameters.inp”和“

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