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从零开始硬件电路设计元器件篇
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三极管功率放大电路
小鱼教你模数电
领域专家: 嵌入式与硬件开发技术领域
2024-01-22 20:51:24
课时名称
课时知识点
三极管功率放大电路
三极管功率放大电路,甲乙丙类三极管功率放大。
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三极管功率放大电路
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功率放大器电路中的
三极管
和MOS管,究竟有什么区别?
在功率放大器电路中应用的
三极管
和场效应管(MOS管)因为其制造工艺不同,相同制造价格下,其击DS极击穿电压普遍比
三极管
高,所以现在的功率放大器开关电源大部分都使用场效应管做开关管。3、从输入电阻来讲,MOS管的输入电阻很高, 通常在数兆欧姆到数百兆欧姆之间,而
三极管
的输入电阻相对较低,通常在几千欧姆到几十万欧姆之间;4、从输入电容来讲,MOS管的输出电容较小,通常在几皮法到几纳法之间,而
三极管
的输出电容较大,通常在几十皮法到几百皮法之间;7、从电压容忍度来讲,电压容忍度: MOS管的电压容忍度比
三极管
高;
基于multisim的低频
功率放大电路
(
三极管
方案)
本文设计了一种基于
三极管
的低频功率放大器,用于音频信号放大。该设计采用OTL/OCL电路结构,输入为≤10mV、20Hz-20kHz正弦波,要求实现≥100倍电压放大,输出功率≥1W(8Ω负载),失真度≤5%。电路包含音量调节电位器,并通过Multisim仿真验证了放大效果,测试了功率和失真度指标。相关设计成果已发布视频演示(B站可查),展示了该功率放大器的实际工作性能。该方案满足低频音频放大需求,具有实用价值。
半导体
三极管
及其基本放大电路
• 稳定原理:当温度升高使I_C增大时,I_E增大,R_E上电压U_E升高,由于基极电压U_B基本固定,发射结电压U_{BE} = U_B - U_E减小,I_B减小,从而抑制I_C的增大,实现工作点稳定。◦ 估算法:根据电路参数计算,如I_B = \frac{V_{CC} - U_{BE}}{R_B},I_C = \beta I_B,U_{CE} = V_{CC} - I_C R_C。温度变化会影响
三极管
的参数(如\beta、U_{BE}、I_{CEO}),导致静态工作点漂移,严重时引起失真。
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