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MOS管的米勒效应
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| MOS管的米勒效应 | MOS管的米勒效应，MOS管米勒效应原理以及波形 |
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MOS管米勒效应电容问题你应该这样处理
米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。那么遇到米勒效应电容时你应该怎么处理?
臭名昭著的MOS管米勒效应
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。 首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？ MOS管Vgs小平台 带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？ MOS管Vgs小平台有改善 为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。
mos管的米勒效应
详细描述了MOS管的米勒效应，以及米勒效应的危害 。。。。
MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf
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