2SJ557A-T1B-A-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明下载

weixin_39820535 2024-03-28 11:01:59

SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V； , 相关下载链接：https://download.csdn.net/download/VBsemi_MOSFET/88955574?utm_source=bbsseo

...全文

8 回复打赏收藏转发到动态举报

写回复

回复

切换为时间正序

请发表友善的回复…

发表回复

### 2SJ557A-T1B-A-VB P-Channel MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明 #### 产品概述 2SJ557A-T1B-A-VB 是一款采用 SOT23 封装的 P-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽栅极技术，...

### 2SJ185-T1B-A-VB P-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 2SJ185-T1B-A-VB是一款P-Channel沟道的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23封装形式。该器件具有以下特点： - ...

2SJ204-T1B-A-VB 是一种 P-Channel 的沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 SOT-23 封装形式。该晶体管的主要特性包括无卤素设计、高侧开关能力、低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压以及快速切换速度...

2SJ211-T1B-A-VB 是一款 P-Channel 的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 SOT-23 封装形式。该器件具有低导通电阻、小型化等特点，并且符合无卤素环保标准，适用于多种直流电源转换应用中的主动钳位电路...

2SJ166-T1B-A-VB 是一款 P-Channel 的 SOT23 封装 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 VBsemi 生产。该晶体管采用沟槽技术（TrenchFET®），具有低导通电阻、快速开关速度等特性，适用于高侧开关等应用场景...

下载资源悬赏专区

13,654

社区成员

12,574,373

社区内容

发帖

与我相关

我的任务

其他技术论坛（原bbs）

社区管理员

加入社区

近7日
近30日
至今

加载中

查看更多榜单

社区公告

暂无公告

试试用AI创作助手写篇文章吧

+ 用AI写文章