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HITJ0303MP-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明下载
weixin_39821228
2024-05-13 10:02:40
SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1V; , 相关下载链接:
https://download.csdn.net/download/VBsemi_MOS/89235745?utm_source=bbsseo
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HITJ0303MP-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明下载
SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1V; , 相关下载链接:https://download.csdn.net/download/VBsemi_MOS/892
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HITJ0303MP
-
VB
一款
P-
Channel
沟道
SOT23
的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍
与
应用
说明
###
HITJ0303MP
-
VB
:
一款
P-
Channel
沟道
SOT23
的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍
与
应用
说明
#### 概述
HITJ0303MP
-
VB
是
一款
采用
SOT23
封装的P-
Channel
沟道
功率
MOSF
ET
(金属氧化物半导体场效应
晶体管
)。该器件主要
应用
于移动计算...
HITJ0302MP-
VB
一款
P-
Channel
沟道
SOT23
的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍
与
应用
说明
### HITJ0302MP-
VB
:P-
Channel
沟道
SOT23
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍
与
应用
说明
#### 概述 HITJ0302MP-
VB
是
一款
采用
SOT23
封装的P-
Channel
沟道
功率
MOSF
ET
(金属氧化物半导体场效应
晶体管
)。它具有以下特性:工作电压范围...
HITJ0203MP-
VB
一款
P-
Channel
沟道
SOT23
的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍
与
应用
说明
HITJ0203MP-
VB
是
一款
P-
Channel
沟道
的
MOSF
ET
(金属氧化物半导体场效应
晶体管
),采用
SOT23
封装形式。该器件具有以下关键特性: - **工作电压范围**:最大额定工作电压为-20V。 - **连续电流能力**:最大连续电流可达...
HITJ0204MP-
VB
一款
P-
Channel
沟道
SOT23
的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍
与
应用
说明
HITJ0204MP-
VB
是
一款
P-
Channel
沟道
的
MOSF
ET
(金属氧化物半导体场效应
晶体管
),采用
SOT23
封装形式。该器件具有以下关键特性: - **工作电压范围**:最大额定工作电压为-20V。 - **连续电流能力**:最大连续电流可达...
HITJ0201MP-
VB
一款
P-
Channel
沟道
SOT23
的
MOSF
ET
晶体管
参数
介绍
与
应用
说明
HITJ0201MP-
VB
是
一款
P-
Channel
沟道
的
MOSF
ET
(金属氧化物半导体场效应
晶体管
),采用
SOT23
封装形式。该器件在VGS为-4.5V时具有低导通电阻(RDS(ON))为57mΩ,适用于多种电子设备中的开关和电源管理
应用
。 #### 二、...
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