闪存（Flash Memory）

[执沐]

A. 信息可读可写，并且读、写速度一样快 闪存（Flash Memory）确实是一种可读可写的存储器。但是，关于读写速度，闪存的读取速度通常远快于写入速度。这是因为在写入新数据之前，闪存需要先擦除已有的数据块，这是一个相对耗时的过程。因此，这个选项中的“读、写速度一样快”是不准确的。

B. 存储元由MOS管组成，是一种半导体存储器 这是正确的。闪存是基于MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）结构的，它确实是一种半导体存储器。

C. 掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器 这也是正确的。闪存是一种非易失性存储器，这意味着即使在没有电源的情况下，它也不会丢失存储的数据。

D. 采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器 这同样是正确的。闪存支持随机访问，这意味着你可以直接访问存储器的任何位置，而不需要按顺序搜索。此外，由于闪存的便携性和耐用性，它可以作为计算机的外部存储器，如USB闪存驱动器。