软件部分之flash操作掉电保持

电气K哥 2024-11-20 11:31:18

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本文聚焦STM32F103平台RTC闹钟功能的可靠实现，涵盖LSE时钟源配置、VBAT后备电源保障掉电时间保持、FLASH安全写入机制（避坑页擦除、地址对齐、禁止中断内操作）、闹钟状态机设计及低功耗唤醒优化。强调硬件时序约束、寄存器同步验证、脏标志缓存等关键技术要点，适用于嵌入式实时计时类应用。

本文介绍了FLASH和EEPROM的区别，FLASH按扇区操作，成本低，适合做程序存储器；EEPROM按字节操作，适合做非易失数据存储器。还阐述了RAM（SRAM和DRAM）、ROM的特点，以及NOR Flash和NAND Flash的性能、接口、容量、可靠性等方面的差异。

该博客介绍了基于STM32F103系列微控制器的Flash掉电保存数据项目。利用内置Flash存储器和HAL库，提供高效稳定的数据持久化存储方案。通过合理操作流程确保数据安全，适用于系统配置存储、计数器状态保存等场景，具有兼容性强、易用性高、稳定性好等特点。

文章讲述了SSD在正常和异常掉电情况下的恢复策略，包括数据刷入闪存、映射表的保存，以及异常掉电后的电容保护和映射表重构方法。通过全盘扫描或利用快照技术加速映射表恢复，确保SSD能从异常掉电中恢复并正常工作。

本文介绍了ROM和Flash Memory的工作原理，解释了它们如何在断电后保持数据的稳定性。ROM通过电子工艺预先写入信息，而Flash Memory则利用浮闸结构实现数据的持久存储，并详细阐述了数据写入和擦除的过程。

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