关于DRAM的刷新问题

Old123 2005-04-15 06:37:45

有一512K*16的存储器，由64K*1的2164RAM芯片构成，（芯片内是4个128*128结构）如果采用分散刷新的方式，刷新间隔不超过2ms，刷新信号的周期如何计算？

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goooooooooogle 2005-06-22

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我记得好像是：2ms/128=0.016ms

Old123 2005-04-20

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无人回，郁闷结贴。

suyun9329 2005-04-16

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i don't know

英文资料，介绍了DRAM的一些常见的刷新方式。

Jira是Atlassian出品的一款事务管理软件，它既可以作为项目开发管理工具，也可以作为任务管理、流程管理的工具。不仅适用于敏捷开发，也可用于其他开发模式，并根据企业需求定制。Confluence也是Atlassian出品的软件，用于企业知识管理与协同，也可以用于构建企业wiki。强大的编辑和站点管理特征能够帮助团队成员之间共享信息、文档协作、集体讨论，信息推送。Jira与Confluence配合一起使用，相得益彰，越用越顺畅。网上零零散散的资料很多，但没有系统的介绍。本课程根据本人几年使用经验整理了一套基本功能的操作指引，供初学者使用。主要的内容有：一、Jira基本功能操作：项目的创建与工作流、用户与角色、模块、版本管理等常用操作；万能的筛选器Filter的使用；使用仪表板Dashboard制作项目报表；使用问题收集器收集客户反馈问题；Tempo、BigGantt等插件的使用。二、Confluence基本功能操作：空间的创建与权限、模板、内容导出等操作；使用模板创建页面、各种编辑页面的技巧、布局与常用宏使用；使用confluence高效创建项目报告；Dram.io、Zenuml插件的使用

DRAM的刷新。集中式刷新、分散式刷新和异步式刷新。

从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。　　图1. （a） DRAM存储单元；（b）单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流（GIDL）；（c）位线接触（BLC）与存储节点接触（SNC）之间的电介质泄漏；（d） DRAM电容处的电介质泄漏。　　DRAM存储单元（图1 （a））在电源关闭时会丢失已存储的数据，因此必须不断刷新。存储单元在数据丢失前可存储数据的时间，即保留时间，是DRAM的一个关键特性

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