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NAND FLASH从K9F1208修改成K9F1G08要跳电阻?为什么?不是完全兼容吗?难道操作的周期数不一样?
xqhrs232
2008-12-16 07:21:28
NAND FLASH从K9F1208修改成K9F1G08要跳电阻?为什么?不是完全兼容吗?难道操作的周期数不一样?
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NAND FLASH从K9F1208修改成K9F1G08要跳电阻?为什么?不是完全兼容吗?难道操作的周期数不一样?
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yudong54
2010-01-15
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2440 GPG14 GPG13 GPG15
NOmARL NAND
PAGESIZE
BUSWITH
上面的根据nandFlash参数修改上拉,和下拉电阻,支持1G08 或8G08
xqhrs232
2009-02-12
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[Quote=引用 3 楼 xumercury 的回复:]
mark下。。。。怕以后出问题。。。现在用的是1G的
[/Quote]
你的K9F1G08的驱动是怎么得到的?三星提供有?还是修改那个大小块的标识?
xqhrs232
2009-02-10
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介绍SLC++++MLC的文章
http://www.dramx.com/Information/Knowledge/FLASH/Post/6864/Default.aspx
xqhrs232
2009-02-10
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这个调电阻主要是跟页的大小对应起来------512 BYTE/页++++2K BYTE/页
MLC++++SLC跟这个无关.6400/6410对两种存储方式(SLC++++MLC)的NAND FLASH都支持
1.SLC------单层存储
2.MLC------多层存储
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC?
MLC英文全称(Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。
ggsddu_1997
2008-12-17
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不懂,路过
xqhrs232
2008-12-17
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1。K9F1208页大小------512 BYTE---------SLC-----操作周期数4
2。K9F1G08页大小------2K BYTE---------MLC-----操作周期数4?
xqhrs232
2008-12-17
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看到了,原来不同的页大小,还要进行不同的配置,到时试一下了!
gooogleman
2008-12-17
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[Quote=引用 4 楼 xqhrs232 的回复:]
引用 2 楼 gooogleman 的回复:
要的,这个容量不一样,有几个GPIO的接法不一样的。
不明白原因啊,也不知道怎么接啊
[/Quote]
————我用的是2440,在nand flash手册那章节,有说明的。只是比较隐蔽而已。估计6410也是同样的道理。
gooogleman
2008-12-17
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[Quote=引用 4 楼 xqhrs232 的回复:]
引用 2 楼 gooogleman 的回复:
要的,这个容量不一样,有几个GPIO的接法不一样的。
不明白原因啊,也不知道怎么接啊
[/Quote]
————我用的是2440,在nand flash手册那章节,有说明的。只是比较隐蔽而已。估计6410也是同样的道理。
xqhrs232
2008-12-16
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[Quote=引用 2 楼 gooogleman 的回复:]
要的,这个容量不一样,有几个GPIO的接法不一样的。
[/Quote]
不明白原因啊,也不知道怎么接啊
xumercury
2008-12-16
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mark下。。。。怕以后出问题。。。现在用的是1G的
gooogleman
2008-12-16
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要的,这个容量不一样,有几个GPIO的接法不一样的。
shuiyan
2008-12-16
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需要跳电阻吗?什么电路?接口应该是兼容的。两者操作时序上略有不同,但是对硬件没影响。
Nan
d
Flash
和i
Nan
d-1.11.ARM裸机第十一部分
本期课程主要讲述了2种常见的块存储设备:
Nan
d
Flash
和i
Nan
d。分别从物理接口、协议、芯片内部存储原理、SoC中的控制器、代码实践分析等几个方面详细讲述这两种存储设备。本课程的目标是让大家对块设备及其接口协议有...
微雪
K9F1G08
U0E
NAN
D
Flash
模块读
数
据的时候出现部分字节漏读的问题及其解决方案
【现象】
数
据能正常写入到存储器中,但读的时候会发现总是有一些字节出现丢失,如下图所示。 【程序】 以下程序直接用GPIO模拟了FSMC的时序来读写
NAN
D
Flash
,方便从时序上诊断问题。 main.c: #include #include #include "
NAN
D.h" uint8_t buffer[2048]; void dump_data(const voi
Nor
Flash
和
Nan
d
Flash
存储器又称闪存,主要有两种:Nor
Flash
和
Nan
d
Flash
。在实际开发中,设计者可以根据产品需求来进行闪存的合理选择。下面我们从多个角度来对比介绍一下。 1、接口对比 Nor
Flash
带有通用的SRAM接口,可以轻松地挂接在CPU的地址、
数
据总线上,对CPU的接口要求低。
Nan
d
Flash
器件使用复杂的I/O口来串行地存取
数
据,8个引脚用来传送控制、地址和
数
据信息。由于时序较为复杂,所以一般CPU最好集
成
NAN
D控制器。 另外由于
Nan
d
Flash
没有挂接在...
Nor
Flash
和
Nan
d
Flash
区别
Nor
Flash
和
Nan
d
Flash
区别
Flash
编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写
成
1.所以在
Flash
编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程
完全
相反。 (1)闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对Nor
Flash
芯片
操作
以“字”为基本单位.为了方便对大容量Nor
Flash
闪存的管理,通常将NOR闪存分
成
大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读
Nor
Flash
与
Nan
d
Flash
有什么区别
关注、星标公众号,不错过精彩内容编辑:黄工素材来源:网络
FLASH
存储器又称闪存,主要有两种:Nor
Flash
和
Nan
d
Flash
。在实际开发中,设计者...
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