请问scsi write long 命令的ECC校验码怎么写

wyzwzq 2009-04-06 01:11:10

请问scsi write long 命令的ECC校验码怎么写

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morris88 2009-04-19

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查查 linux 是怎么写的吧...

ECC的原理：就是向NAND Flash写数据时，每256或512字节会生成一个校验码写在每个page的OOB区，当从NAND Flash读数据时，每读取256或512字节数据，也会生成一个ECC校验码，拿这个校验码与存放在OOB区的校验吗对比看看是否一致，就可以知道读取的数据是否正确.

因为你要通讯，就需要通讯的电压，时序，甚至接口命令，这些都随着不同厂商，不同制程技术而不同，你作为手机制造商或者soc厂商，想要把每种新的 nandflash 集成到你的产品中，就要根据这些新的特性来花时间设计。10.如果 main 区域的 ecc 校验码字节数比较多，并且 spare 区域足够大的话，可以对存放在 spare 区域里的 main ecc校验码进行二次 ecc，这时生成的 ecc 校验码我将其称为 spare ecc，它一般会存放在spare区域的末尾，并不是必须的；

ECC的原理：就是向NAND Flash写数据时，每256或512字节会生成一个校验码写在每个page的OOB区，当从NAND Flash读数据时，每读取256或512字节数据，也会生成一个ECC校验码，拿这个校验码与存放在OOB区的校验吗对比看看是否一致，就可以知道读取的数据是否正确. 一般来说，kernel与cramfs是通过U-BOOT烧写到NAND Flash中，这个过程是向NA

向NAND Flash写数据时，每256或512字节会生成一个校验码写在每个page的OOB区，当从NAND Flash读数据时，每读取256或512字节数据，也会生成一个ECC校验码，拿这个校验码与存放在OOB区的校验吗对比看看是否一致，就可以知道读取的数据是否正确. 一般来说，kernel与cramfs是通过U-BOOT烧写到NAND Flash中，这个过程是向NAND Flash写数据

LINK ECC 1.wck 1600MHZ 2.在dram接口处按照per byte per burst即8x16=128bit计算ECC,所以对于dg width=16,BL16 有2组ECC,对于BL32有4组ECC 3.Write 。模式寄存器支持write ECC并打开write ECC enable 。RDQS t as input,表征写ECC数据。DQ按照128bit粒度产生和校验ECC,DMl按照16bit数据粒度产生和校验ECC。。支特normal write和mask write

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