如何提高DDR内存的burst写入效率

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我用的 ARM6410 (532MHz) + mDDr（外频133MHz）系统，burst为8。

我的程序里有大量的形如
N=19200;
for (i=0; i<N; i++)
{
a[i] = b[i]*c+d;
}
这样的数组读写代码。

对于数组读取，因为有cache，一次性读8个32位数据效率很高，

但是对于写入就适得其反，无论写入的是1字节还是4个字节，写回操作费时都与写回8个32位数据一样。因此，上面的循环每秒只能循环20M次左右。

如果使用汇编，可以使用stmia指令一次性写入8个32位数据，但我觉得在C里面大量嵌入汇编代码很难维护。

1。我上面描述的“无论写入的是1字节还是4个字节，写回操作费时都与写回8个32位数据一样”，这种理解是否有误？写缓冲为什么不能像读缓冲一样高效率工作？

2。已知我的循环会顺序写回一个数组的情况下，能否配置写缓冲，满8个脏数据再一次写入？

[jbb0523]

6410坛子里有很多人在用吧，帮你顶起吧，又落到第二页了。。。

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