NAND FLASH一半区域全坏块的奇怪问题

[HZJMAN]

产品改用一款新的SAMSUNG NAND FLASH,该NAND FLASH总容量4GB,内部为两个CELL，每个CELL为2GB，但共享一个CE线，现在驱动跑起来后，发现前面2GB的坏块数为几个并且写入读出测试都没问题，但后面的2GB全为坏块，修改驱动和程序对后2GB的区域进行强制ERASE也不能成功。请问大家知道可能的原因么？

[老猿IVD]

多测试几个芯片，如果其它芯片也同样的情况可能是你的读写代码有问题，否则就可能是硬件或者是FLASH是假片的问题

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[codesnail]

这种情况应该不是片子的问题，建议重点检测最高位的地址线看是不是有问题。

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[baojunling2008]

[Quote=引用 1 楼 veabol 的回复:]
多测试几个芯片，如果其它芯片也同样的情况可能是你的读写代码有问题，否则就可能是硬件或者是FLASH是假片的问题
[/Quote]顶起～～～～～

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[HZJMAN]

这个问题两个月前已经解决了，是最高地址线比较特殊的问题。

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[HZJMAN]

谢谢各位

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