NAND FLASH一半区域全坏块的奇怪问题

HZJMAN 2010-09-24 02:39:16
产品改用一款新的SAMSUNG NAND FLASH,该NAND FLASH总容量4GB,内部为两个CELL,每个CELL为2GB,但共享一个CE线,现在驱动跑起来后,发现前面2GB的坏块数为几个并且写入读出测试都没问题,但后面的2GB全为坏块,修改驱动和程序对后2GB的区域进行强制ERASE也不能成功。请问大家知道可能的原因么?
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HZJMAN 2010-12-06
谢谢各位
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HZJMAN 2010-12-06
这个问题两个月前已经解决了,是最高地址线比较特殊的问题。
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baojunling2008 2010-10-05
[Quote=引用 1 楼 veabol 的回复:]
多测试几个芯片,如果其它芯片也同样的情况可能是你的读写代码有问题,否则就可能是硬件或者是FLASH是假片的问题
[/Quote]顶起~~~~~
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codesnail 2010-09-26
这种情况应该不是片子的问题,建议重点检测最高位的地址线看是不是有问题。
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老猿IVD 2010-09-24
多测试几个芯片,如果其它芯片也同样的情况可能是你的读写代码有问题,否则就可能是硬件或者是FLASH是假片的问题
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