NAND FLASH一半区域全坏块的奇怪问题

HZJMAN 2010-09-24 02:39:16

产品改用一款新的SAMSUNG NAND FLASH,该NAND FLASH总容量4GB,内部为两个CELL，每个CELL为2GB，但共享一个CE线，现在驱动跑起来后，发现前面2GB的坏块数为几个并且写入读出测试都没问题，但后面的2GB全为坏块，修改驱动和程序对后2GB的区域进行强制ERASE也不能成功。请问大家知道可能的原因么？

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HZJMAN 2010-12-06

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谢谢各位

HZJMAN 2010-12-06

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这个问题两个月前已经解决了，是最高地址线比较特殊的问题。

baojunling2008 2010-10-05

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[Quote=引用 1 楼 veabol 的回复:]
多测试几个芯片，如果其它芯片也同样的情况可能是你的读写代码有问题，否则就可能是硬件或者是FLASH是假片的问题
[/Quote]顶起～～～～～

codesnail 2010-09-26

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这种情况应该不是片子的问题，建议重点检测最高位的地址线看是不是有问题。

博说医械研发 2010-09-24

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多测试几个芯片，如果其它芯片也同样的情况可能是你的读写代码有问题，否则就可能是硬件或者是FLASH是假片的问题

9）实现u-boot对yaffs/yaffs2文件系统下载的支持。注意：此篇对Nand的操作是基于MTD架构方式，在“u-boot-2009.08在2440上的移植详解（三）”中讲到过。通常一个Nnad Flash存储设备由若干块组成，1个块由若干页组成。一般128MB以下容量的Nand Flash芯片，一页大小为528B，被依次分为2个256B的主数据区和16

UBIFS 是一种针对 FLASH 重新设计的日志型文件系统。UBIFS 可看做是JFFS2 的下一代文件系统， UBIFS 对于 JFFS2 中诸如节点存储、实时压缩（on the fligh compression）、异常断电修复等优秀设计进行了继承，针对 JFFS2 文件系统无法快速挂载大容量 FLASH、写操作较慢的情况进行了的许多重新设计，使得UBIFS在搭载大容量NANDFLASH 时挂载速度更快， IO 效率更高、可靠性更强。

9）实现u-boot对yaffs/yaffs2文件系统下载的支持。注意：此篇对Nand的操作是基于MTD架构方式，在“u-boot-2009.08在2440上的移植详解（三）”中讲到过。通常一个Nnad Flash存储设备由若干块组成，1个块由若干页组成。一般128MB以下容量的Nand Flash芯片，一页大小为528B，被依次分为2个256B

71 段伏枥拿的这块Telechips的开发板所用的主控芯片是TCC7901，相对于AU1200而言，是好得很多了。姑且不说那简单易懂的编译安装环境，光是硬件的搭配就是AU1200所不能比拟的。AU1200并不支持NAND FLASH启动，而必须将启动代码放置于NOR FLASH，启动之后再从NAND FLASH读取操作系统。这个过程对于浸淫多年的老手来说，并不是一件很困难的事情...

对于线性传感器（用于磁场强度测量），霍尔效应传感器：可以测量范围广泛的磁场可以测量北极或南极磁场可以是平的缺点霍尔效应传感器提供的测量精度远低于磁通门磁力计或基于磁阻的传感器。此外，霍尔效应传感器漂移显着，需要补偿。

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