nand flash 地址问题

[prettyboybaoxiaopeng]

谁能解释一下，这款nand flash的column address为什么是A0-A11呀？

按理应该2K=2^11,用11根地址线，所以从A0-A10就可以了呀？

[blancell]

我认为还要加上spare的,那就等于2112了,所以是A0-A11.

[prettyboybaoxiaopeng]

第3周期发送的是(addr>>11)&0xff

[Ejack79]

LZ看下正文描述就会明白的。例如：

引用

The K9XXGXXXXM is a 4224Mbit (4,429,185,024 bit) memory organized as 262,144 rows(pages) by 2112x8(X8 device) or
1056x16(X16 device) columns.

每行都有若干备用列，例如对于8位器件来说，是2048+64列。因此列地址多1位。
诚如4L所言。

[loongembedded]

[Quote=引用 4 楼 blancell 的回复:]
我认为还要加上spare的,那就等于2112了,所以是A0-A11.
[/Quote]
是的，我们对nandflash的一页寻址的范围包括main area和spare area，其中你的使用的nandflash一页的main area大小是2k，spare area的大小是64bytes，所以需要12个数据线才能完全寻址到2k+64

[prettyboybaoxiaopeng]

[Quote=引用 7 楼 loongembedded 的回复:]

引用 4 楼 blancell 的回复:
我认为还要加上spare的,那就等于2112了,所以是A0-A11.

是的，我们对nandflash的一页寻址的范围包括main area和spare area，其中你的使用的nandflash一页的main area大小是2k，spare area的大小是64bytes，所以需要12个数据线才能完全寻址到2k+64
[/Quote]

刚从U-boot的源码中和开发板的配套程序中都发现：
寻址时在第3周期发送了（addr>>11）//第三周期发送的页地址，右移了11位，说明，A0到A10这11位是
column address，即页内偏移，从A11开始就是page address了，这和我想的没错呀，是不是数据手册错了？？？？？
访问你们说的spare area即OOB，是不是有特别的指令，不需要寻址的呀？

[prettyboybaoxiaopeng]

[Quote=引用 11 楼 loongembedded 的回复:]
楼主可以参考我的博文：
http://blog.csdn.net/LoongEmbedded/archive/2010/11/17/6015302.aspx
[/Quote]

确实，这里NewSpareAddr=2048时，用到了A11，（2048>>8）&0xff =1000b A11=1，且在第二周期时给出。
但是这里是NewSectorAddr却是直接给出的，具体是右移11还是12位来的无法知道。
下面看一段TQ2440开发板的程序

static void rLB_ReadPage(U32 addr, unsigned char * to)
{
	U32 i;

	rNF_Reset();

	//  Enable the chip
	NF_nFCE_L();   
	NF_CLEAR_RB();

	// Issue Read command
	NF_CMD(CMD_READ);

	//  Set up address
	NF_ADDR(0x00);
	NF_ADDR(0x00);
	NF_ADDR((addr) & 0xff);
	NF_ADDR((addr >> 8) & 0xff);
	NF_ADDR((addr >> 16) & 0xff);

	NF_CMD(CMD_READ3);

	NF_DETECT_RB();		// wait tR(max 12us)

	for (i = 0; i < 2048; i++)
	{
		to[i] =  NF_RDDATA8();
	}

	NF_nFCE_H();

}


void RdNF2SDRAM( )
{
	U32 i;
	U32 start_addr = 0x6400000;
	unsigned char * to = (unsigned char *)0x30000000;
	U32 size = 0x100000;
	void (* app)(void);
	app = (void(*)(void))to;
	rNF_Init();
	for(i = (start_addr >> 11); size > 0; )
	{
		rLB_ReadPage(i, to);
		size -= 2048;
		to += 2048;
		i ++;
	}	
	
	(*app)();
}		

位了验证这段程序的正确性，我对它稍稍加工了一点，当从nand flash启动时RdNF2SDRAM（）函数会被调用，会从0x6400000(100M)的地方复制0x100000(1M）大小的东西到内存0x30000000开始运行，我用u-boot在0x6400000出写入特定的代码，然后执行这段程序，运行正确，说明这段程序确完成了它的功能

关键是看RdNF2SDRAM（）函数中调用rLB_ReadPage（）时传递的addr参数
由

//  Set up address
	NF_ADDR(0x00);
	NF_ADDR(0x00);
	NF_ADDR((addr) & 0xff);
	NF_ADDR((addr >> 8) & 0xff);
	NF_ADDR((addr >> 16) & 0xff);

可以看出addr就是第三周期传出的页地址，而在for(i = (start_addr >> 11); size > 0; )这句看出它是由start_addr>>11位得到的。

总上所述，将start_addr>>11得到页地址是不会错的了，但是

这图也应该没错，开始也用到了A11，找一个折中的解释，就是我们犯了一个错误，我们错误的将start_addr（读写地址）的每一位与上图中A0 A1 A2。。。。。A25的每一位对应起来，如果认为start_addr的第一位是A1的，那么start_addr>>11不就从A12开始了么，问题就顺利解决了。
这是我想法，大家有想法也可以说出来讨论讨论。。。。。。

[embeddedstudy]

[Quote=引用 13 楼 prettyboybaoxiaopeng 的回复:]
引用 11 楼 loongembedded 的回复:
楼主可以参考我的博文：
http://blog.csdn.net/LoongEmbedded/archive/2010/11/17/6015302.aspx


确实，这里NewSpareAddr=2048时，用到了A11，（2048>>8）&0xff =1000b A11=1，且在第二周期时给出。
但是这里是NewSect……
[/Quote]
看了你的代码，关键你没有看清rLB_ReadPage（）这个函数传的形参是什么。
第一个形参是i，i = (start_addr >> 11)这个i已经是右移11位以后的数字了，那就是row addr，就是行地址，然后在这一块页里再从0-2047一个个读出来复制到内存中去。这个>>11和你所说的column addr没有任何关系，这个是row addr。你没有理解行和列在nandflash的结构是怎么分布的，先理解这一点再去看程序，一看就明白了。

[prettyboybaoxiaopeng]

[Quote=引用 14 楼 embeddedstudy 的回复:]

引用 13 楼 prettyboybaoxiaopeng 的回复:
引用 11 楼 loongembedded 的回复:
楼主可以参考我的博文：
http://blog.csdn.net/LoongEmbedded/archive/2010/11/17/6015302.aspx


确实，这里NewSpareAddr=2048时，用到了A11，（2048>>8）&0x……
[/Quote]

老兄，回帖前，先看清问题好不好

[Ejack79]

11L的博文里以及NAND Flash的数据手册里面已经写的再清楚不过了：
main field的列地址是0~2047，spare field的列地址是2048~2111。

而且rLB_ReadPage这个函数根本就没有操作到spare field。

简单来说LZ通过rLB_ReadPage多操作一些字节，超过页大小（例如到2060），然后再试验体会体会。

[embeddedstudy]

你问出那样的问题来不正是说明了没有搞懂结构吗？
start_addr和A0 A1 A2。。。。。A25的每一位对应起来，这个完全正确。
而i是start_addr>>11的值，和A0 A1 A2....A11已经无关了。说的这么清楚了，你再把顶楼贴的那张图好好对照的理解一下吧。

[prettyboybaoxiaopeng]

[Quote=引用 17 楼 embeddedstudy 的回复:]

你问出那样的问题来不正是说明了没有搞懂结构吗？
start_addr和A0 A1 A2。。。。。A25的每一位对应起来，这个完全正确。
而i是start_addr>>11的值，和A0 A1 A2....A11已经无关了。说的这么清楚了，你再把顶楼贴的那张图好好对照的理解一下吧。
[/Quote]
“而i是start_addr>>11的值，和A0 A1 A2....A11已经无关了。”呵呵，A0-A11共12位呀，要是无关，就应该是start_addr>>12了啦，这才是我问的问题？明白？

[embeddedstudy]

因为是普通数据，不涉及spare area，范围从0~2047，2048~2111，所以a11是永远为0的，是用不到的。你自己随便找个地址换成二进制算算就知道了。。。我确实不会想到你是问这个问题。。。

[embeddedstudy]

汗，我被你带过去了，自己也说错了。不是a11为0，而是寻不到那个spare area的地址，就是
2048~2111这个范围。

[blancell]

数据手册应该没问题的,你把这段代码贴出来看看.

[loongembedded]

这和我想的没错呀，是不是数据手册错了？？？？？
---》数据手册错的概率很低，一般是我们的理解出错了
访问你们说的spare area即OOB，是不是有特别的指令，不需要寻址的呀？
---》不需要特别的，楼主可以参考我的博文：
http://blog.csdn.net/LoongEmbedded/archive/2010/11/17/6015302.aspx

[embeddedstudy]

关于64bytes的附加信息的操作，楼上的博文写的不错，受教了。
而对于普通数据，楼主用的2g08的系列，也就是page里2048bytes的寻址[Quote=引用 9 楼 prettyboybaoxiaopeng 的回复:]
第3周期发送的是(addr>>11)&0xff
[/Quote]
按照一般的做法，应该是把地址和2047逻辑与，得到的结果是column的数目，然后按照周期写入开发板相应的寄存器里，第一个周期是a0~a7，也就是低8位的地址，第二个周期是a8~a11的地址，但因为是寻址普通数据，这里应该是col>>8&0x0f，这样才符合芯片手册上的周期图。
你说的第3个周期是寻址row addr的地址了，和page里的地址无关。row addr寻址的是page的数目。具体到哪一个page里的地址，再用column addr寻址。
这两天正好在学nandflash的知识，不知道我说的对不对。

[prettyboybaoxiaopeng]

花自飘零水自流，一种相思两处闲愁

[prettyboybaoxiaopeng]

结贴



回复内容太短了！

[embeddedstudy]

你可以看下这个帖子，和你的问题差不多，里面有更详细的讨论
http://www.100ask.net/showtopic-3179.aspx

[tczhangyan120]

这张表是错的，
一、a0-a7;
二、a8-a10;
三、a11-a18;
四、a19-a26;
五、a27-a28;

一～二为列地址即页地址（2k);
三～五为行地址，即一块地址（128k）;