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NAND FALSH不能写和擦除
ffeige1984
2012-07-11 09:07:58
处理器用的是2416,NAND的型号是K9GAG08U0M-PCB0 2GB,EBOOT下可以读到FALSH的ID,可是当格式化时 报出所有的块都是坏块,保存参数也保存不了。有那位遇到过,急求解决方法。这次第2版,第1版是OK的,请大家提供下意见。
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NAND FALSH不能写和擦除
处理器用的是2416,NAND的型号是K9GAG08U0M-PCB0 2GB,EBOOT下可以读到FALSH的ID,可是当格式化时 报出所有的块都是坏块,保存参数也保存不了。有那位遇到过,急求解决方法。这次第2版,第1版是OK的,请大家提供下意见。
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David_Hu
2012-07-11
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如果所有环境一样,那真有可能是走线的问题
falloutmx
2012-07-11
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flash是好的,软件也是一样的,那么只有一个可能了,检查PCB
ffeige1984
2012-07-11
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标记坏块后,继续擦除 所有的块还是坏块
ffeige1984
2012-07-11
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FALSH是好的,验证过了 放在第1版上可以正常使用。
falloutmx
2012-07-11
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把所有的坏块标记全部去掉,再擦一次
zhengmeifu
2012-07-11
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第一版和第二版的代码若是一样的,那就是FLASH的问题咯,估计flash是人家拆旧的下来卖的。不过这么大容量的flash应该是mlc的,代码是支持mlc的吗?
ffeige1984
2012-07-11
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谢谢大家 问题解决了
arm端
擦除
nan
dflash的工具flash_erase
arm端
擦除
nan
dflash的工具flash_erase,用于
写
nan
d之前的
擦除
。
NAN
D Flash 读、
写
、
擦除
原理
以Micron公司的MT29F2G08为例介绍
NAN
D Flash原理和使用。 1. 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来传输数据、地址、指令。5个命令脚(CLE、ALE、CE#、WE#)实现
NAN
D命令总线接口规程。3个...
NAN
D Flash的基本操作——读、
写
、
擦除
这里将会简要介绍一下
NAN
D Flash的基本操作在
NAN
D Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读、
写
和
擦除
。 读: 当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有...
NAN
D FLASH的深浅
擦除
对于
NAN
D Flash,在Block未
写
满的情况下
擦除
,program的WL
擦除
为浅
擦除
,未被program的WL
擦除
为深
擦除
。对未
写
满的Block进行连续的磨损,会对Block中未program的WL造成影响。一般该现象出现在2D
NAN
D,但在某些3D ...
nan
d读寿命_
Nan
d Flash的擦
写
次数与使用寿命
Nan
d Flash的擦
写
次数与使用寿命作者:来源:发布时间:2019-09-04 20:28:27 浏览:2086
Nan
d Flash因为其电气特性,读和
写
是按页来读取的,而
擦除
是按照块来
擦除
的,了解这些,我们就比较容易去理解
Nan
d Flash的擦
写
...
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