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处理器用的是2416，NAND的型号是K9GAG08U0M-PCB0 2GB，EBOOT下可以读到FALSH的ID,可是当格式化时 报出所有的块都是坏块，保存参数也保存不了。有那位遇到过，急求解决方法。这次第2版，第1版是OK的，请大家提供下意见。展开阅读全文
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- 黄花 2012年7月 硬件/嵌入开发大版内专家分月排行榜第二
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蓝花
2012年8月 硬件/嵌入开发大版内专家分月排行榜第三
2012年6月 硬件/嵌入开发大版内专家分月排行榜第三
2012年5月 硬件/嵌入开发大版内专家分月排行榜第三
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第一版和第二版的代码若是一样的，那就是FLASH的问题咯，估计flash是人家拆旧的下来卖的。不过这么大容量的flash应该是mlc的，代码是支持mlc的吗?
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把所有的坏块标记全部去掉，再擦一次
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FALSH是好的，验证过了 放在第1版上可以正常使用。
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标记坏块后，继续擦除 所有的块还是坏块
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flash是好的，软件也是一样的，那么只有一个可能了，检查PCB
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- 蓝花 2012年4月 硬件/嵌入开发大版内专家分月排行榜第三
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如果所有环境一样，那真有可能是走线的问题
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谢谢大家 问题解决了
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Nand Flash的擦写次数与使用寿命作者：来源:发布时间：2019-09-04 20:28:27 浏览：2086Nand Flash因为其电气特性，读和写是按页来读取的，而擦除是按照块来擦除的，了解这些，我们就比较容易去理解Nand Flash的擦写...
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前面提到，当一个闪存块接近或者超出其最大擦写次数时，可能导致存储单元的永久性损伤，不能再使用。随着闪存工艺不断向前，这个擦写次数也变得越来越小。 图1-1 闪存损坏状态 在闪存当中的存储...
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在介绍NOR Flash和NAND Flash之前，首先介绍一下NOR Flash和NAND Flash的产生历史。 1、EPROM Intel很早就发明了EPROM，这是一种可以用紫外线擦除的存储器。相较于ROM，它的内容可以更新而且可以保持10～20年，...
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参考链接：https://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3468953.html 测试程序： #include <stdio.h> #include <string.h> #include <sys/types.h> #include <sys/stat.h>...fc...
- 基于mtd的nandflash的擦写nanderase与nandwrite
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- 1.7.5_NandFlash的擦除与烧写_P
有了前面的基础，擦除和烧写也是类似的。 下图是烧写的时序图。 发出0x80命令； 发出五个地址信号； 写入数据； 发出0x10命令； 等待烧写完成。 需要注意的是，nand一次只能烧写一页数据，超过一页数据时需要重新...
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- flash的读写擦除
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- nand flash的读写操作
nand flash的读写操作2016年04月22日 21:51:15阅读数：424在使用nand flash之前需要对其进行必要的...在NFCONT控制寄存器中使能nand flash控制器并片选（如需置1，先将所需的位bic,再置1）3.进行复位（复位主要操...
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- NAND FLASH读写速度计算方法详解
Nand Flash读写速度的计算方法 在下面的部分，我们以Micron的Nand Flash芯片为例，看一下Nand Flash的访问速度(Write / Read)是如何计算的？我们可以利用Datasheet提供的Read / Program / Erase操作时序图进行...
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文章目录1、NAND FLASH和NOR FLASH的简单比较2、S3C2440中的NAND FLASH控制器2、显示NAND FLASH的重要信息3、读NAND FLASH4、擦除NANDFLASH的块5、写NAND FLASH 1、NAND FLASH和NOR FLASH的简单比较 - NOR FLASH...
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nandflash有并行的，有串行方式的，8脚的SPI nandflash是众多工程师的首选，不占地方容量又大，这里奉上我总结的SPI nandflash驱动程序，不包含坏块管理机制： H源文件： #include "stdint.h" #define MX35LF...
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- Nand Flash 和Nor Flash的区别详解
（一）Nand Flash和Nor Flash存储器简介 （二）Nand Flash和Nor Flash原理 （2-1）存储数据的原理 （2-2）浮栅的重放电 （2-3）0和1 （2-4）连接和编码方式 （三）Nand Flash和Nor Flash的...
- 如何正确nandflash的块地址和页地址
[初级知识]如何正确nandflash的块地址和页地址2016年09月07日 16:13:42阅读数：1891结论块地址 从1开始，其范围位于1~2048(以2Gb nandflash为例)页地址 从0到63， 其范围位于0~63(以2Gb nandflash为例)背景对于初次...
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一、Nand Flash的概述 ...NandFlash的IO接口 对于norflash、dram 之类的存储设备，CPU 可以直接通过地址总线对其进行访问，而 Nand Flash 没有这类的总线，只有 IO 接口，只能通过复用的 IO接口发送命令
- Nand Flash均衡算法
Nand Flash由于有擦除次数的限制，因此在对其进行写操作时需要使用写均衡算法使得nand flash上各块的擦写次数均衡，从而提高nand flash的使用寿命。2 FTL实现方案2.1 FTL整体框架图2-1 FTL整体框架图2-1所示为FTL...
- Linux环境C++编程基础视频课程
基于C++面向对象编程基础知识讲解。内容包括： 1.C++对C的扩充 2.类与对象 3.继承与派生 4.多态与虚 函数 5.输入输出流 6.标准模板库 掌握以下知识：1.C++对C的扩充2.类与对象3.继承与派生4.多态与虚 函数5.输入输出流6.标准模板库