镁光flash: MT29F8G08ABABA读取ID出错

[loongembedded]

之前调试的三星flash: K9K8G08U0E遇到读写出错的问题暂时无法解决，决定调试镁光的flash: MT29F8G08ABABA，但是读取ID的之后第一个字节数据时对的，后面的数据都不错很奇怪，在此请教大家，下图是ID数据说明：

读取ID的代码如下：

BYTE Mfg, Dev;
	volatile DWORD i;

	NF_nFCE_L();						// Deselect the flash chip.
	NF_CMD(CMD_READID);					// Send flash ID read command.

	NF_ADDR(0);						// Send Address 0.
	for (i=0;i<10;i++);
	Mfg	= NF_RDDATA_BYTE();				// Read 1 byte from NFDATA == Maker code
	Dev	= NF_RDDATA_BYTE();				// Read 1 byte from NFDATA == Device code
	n3rdID	= NF_RDDATA_BYTE();				// Read 1 byte from NFDATA == Device code
	n4rdID	= NF_RDDATA_BYTE();
	n5rdID	= NF_RDDATA_BYTE();
	
	NF_nFCE_H();		

[loongembedded]

读取ID的第一个字数是0x2C是对的，但后面4个字节一次是0x01、ox02、0x03和0x04，是错误的。

[别以为你站在珠峰就能看到全世界]

当年用镁光的flash，折腾了1个多月。一天重启wince几百上千次。噩梦啊 不过用的不是这款。

[91program]

这种问题，最好是能找厂家的技术支持。

[loongembedded]

引用 3 楼 91program 的回复:

这种问题，最好是能找厂家的技术支持。

销售商那边没有能力支持啊

[91program]

引用 4 楼 LoongEmbedded 的回复:

[quote=引用 3 楼 91program 的回复:] 这种问题，最好是能找厂家的技术支持。

销售商那边没有能力支持啊[/quote] 这样就比较麻烦，只能自己研究 LZ，你那里我感觉应该做的不错啊，怎么厂家不支持你们？

[loongembedded]

主要是销售商没有技术支持的能力，有没有其他朋友做过这方面，麻烦推荐下。

[loongembedded]

补偿一下： TWRPH0=7时读取的值：Manufacturer ID=0x2c,device code =0x1,n3rdID=0x2,n4rdID=0x3,n5rdID=0x4 改为2后却是：Manufacturer ID=0x0,device code =0x2c,n3rdID=0x1,n4rdID=0x2,n5rdID=0x3 这一改变引起，直接是加快了时间，导致在读取第2个字节时实际上读取的是第1个ID字节的数据， 但我这边试过其他数据还是无法成功读取Byte0到Byte4的内容

[curious_cat]

建议用示波器或逻辑分析仪观察一下Flash接口的读写时序是否满足器件资料的要求，这个是大前提； 是不是flash的BUSY信号没有接到处理器的flash接口，导致数据读写错误。

[yuge2014]

楼主 我现在也有这种问题 请问你是怎么解决的啊

[pyh]

引用 8 楼 curious_cat 的回复:

建议用示波器或逻辑分析仪观察一下Flash接口的读写时序是否满足器件资料的要求，这个是大前提； 是不是flash的BUSY信号没有接到处理器的flash接口，导致数据读写错误。

用示波器是正途，不会用示波器，那就只能只能试试了 先确定驱动程序对不对，换个原来的FLASH上去，看看是否能正常使用。

[loongembedded]

引用 9 楼 yuge2014 的回复:

楼主 我现在也有这种问题 请问你是怎么解决的啊

还没有解决呢？我们目前用spansion 的S34ML08G先用，后面有空再看这个问题，你如果解决了，麻烦分享下，先谢谢了。

[91program]

今天 Micron 的技术支持过来，是比较强的人（从上海过来的），我还以为是 LZ 所说的镁光。结果一看明片，是美光，都是做 Flash 的。 本来想借空问一下 LZ 的问题的，都没有敢问。

[zhenghn2010]

for (i=0;i<10;i++); 是延时吗？ NF_RDDATA_BYTE()是怎么实现的？每次都需要延时吗？感觉像是软件 时序问题

[别以为你站在珠峰就能看到全世界]

引用 12 楼 91program 的回复:

今天 Micron 的技术支持过来，是比较强的人（从上海过来的），我还以为是 LZ 所说的镁光。结果一看明片，是美光，都是做 Flash 的。 本来想借空问一下 LZ 的问题的，都没有敢问。

[loongembedded]

引用 14 楼 zhenghn2010 的回复:

for (i=0;i<10;i++); 是延时吗？ NF_RDDATA_BYTE()是怎么实现的？每次都需要延时吗？感觉像是软件 时序问题

这个定义很简单，如下： #define NF_RDDATA_BYTE() (s2450NAND->NFDATA)

[zhu316387139]

楼主问题解决了么，我也遇到同样问题

[loongembedded]

没有解决，你解决了，记得分享啊，谢谢哦

[glchild514]

如果我沒記錯的話 我以前用過Micron 2Gbit SLC - MT29F2G08ABAEAWP
我是Samsung S5PV210 WinCE6.0 BSP

在FMD_Init 你讀FlashID之前要加上如下

NF_nFCE_L();
NF_CLEAR_RB();
NF_CMD(0xFF); //reset command
for(i=0; i<10; i++); //tWB = 100ns. //??????
NF_DETECT_RB();
NF_nFCE_H();

// Get the device information
rdid = ReadFlashID();

我的ReadFlashID如下
static DWORD ReadFlashID(void)
{
UINT8 ucMID, ucDID;
DWORD i;

FMDMSG(FMD_FUNC, (TEXT("+%s\r\n"), _T(__FUNCTION__)));

NF_nFCE_L(); // Deselect the flash chip.
NF_CMD(CMD_READID); // Send flash ID read command.

NF_ADDR(0);


for (i = 0; i < 10; i++)
{
ucMID = NF_RDDATA_BYTE();

if (ucMID == 0xEC || ucMID == 0x2C || ucMID == 0xAD || ucMID == 0x01)
break;
}

ucDID = NF_RDDATA_BYTE();

#if 1 // read more infomation
{
BYTE c3rd, c4th, c5th;

c3rd = NF_RDDATA_BYTE();
c4th = NF_RDDATA_BYTE();
c5th = NF_RDDATA_BYTE();
RETAILMSG(1, (TEXT(" ReadFlashID 1st cycle = 0x%x\n\r"), ucMID));
RETAILMSG(1, (TEXT(" ReadFlashID 2nd cycle = 0x%x\n\r"), ucDID));
RETAILMSG(1, (TEXT(" ReadFlashID 3rd cycle = 0x%x\n\r"), c3rd));
RETAILMSG(1, (TEXT(" ReadFlashID 4th cycle = 0x%x\n\r"), c4th));
RETAILMSG(1, (TEXT(" ReadFlashID 5th cycle = 0x%x\n\r"), c5th));
RETAILMSG(1, (TEXT(" %d %d %d\n\r"), NAND_TACLS, NAND_TWRPH0, NAND_TWRPH1));
}
#endif
NF_nFCE_H();

FMDMSG(FMD_FUNC, (TEXT("-%s\r\n"), _T(__FUNCTION__)));

return ((DWORD)(ucMID<<8)+ucDID);
}