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分享ARM 关于nandflash的简单读写
最近在s5pv210上面跑裸机，简单读写nandflash一页的内容，不做ECC。
很简单是吧。满足时序，往 NFDATA 寄存器操作既是了。
问题来了，在一直读错的情况下，我发现我 读写的方式是 通过 “字” 访问的，也就是一次4bytes。
看手册上，有这么个表格()
包括2440 、6410 、210 在NFDATA寄存器上面都有这个设置的问题，
但是找不到设置的地方。
不知道各位有没撞到这个坑，有的话请提示一下。
估计很多人都测试的时候，写helloworld进去，读出来，比较一下没问题就过去了。如果是字存储，在nandflash里面都已经数据错位了。。。
很简单是吧。满足时序，往 NFDATA 寄存器操作既是了。
问题来了，在一直读错的情况下，我发现我 读写的方式是 通过 “字” 访问的，也就是一次4bytes。
看手册上，有这么个表格()
包括2440 、6410 、210 在NFDATA寄存器上面都有这个设置的问题，
但是找不到设置的地方。
不知道各位有没撞到这个坑，有的话请提示一下。
估计很多人都测试的时候，写helloworld进去，读出来，比较一下没问题就过去了。如果是字存储，在nandflash里面都已经数据错位了。。。
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