在高辐射应用中ReRAM NVM 大放异彩

[叫我兔兔酱]

在当今世界中，非易失性存储器（NVM）已经成为各种应用场景中不可或缺的组成部分。无论是消费性电子设备、工业设备、医疗保健设备，甚至是汽车，NVM都无处不在。然而，闪存存储器作为目前主流的NVM技术之一，其在高辐射环境下的应用面临着诸多挑战。

闪存存储器的敏感性

闪存存储器依赖电荷存储，因此其受到辐射的影响较大。辐射可能通过多种方式影响闪存存储器，包括累积暴露、位移损伤和单事件效应。这些损伤的程度可能从状态翻转到原子结构的永久改变。随着处理工艺的几何尺寸不断缩小，这一问题变得更加严重。

解决方案：ReRAM技术

为了克服闪存存储器在高辐射环境下的挑战，新型存储技术如ReRAM（电阻式随机存取存储器）正在成为一种重要的替代方案。与闪存不同，ReRAM不受电离辐射的影响，因为辐射与其存储机制之间没有直接的相互作用。因此，ReRAM提供了一种辐射耐受性更好的替代方案。

所示为嵌入到基于 RISC-V 的 SoC 中的 Weebit Nano ReRAM 模块 

佛罗里达大学材料科学与工程系的Nino研究小组（NRG）研究了Weebit Nano的ReRAM技术在不同辐射条件下的性能。研究结果表明，ReRAM技术对高剂量的辐射具有很好的耐受性，并且在经受高剂量辐射后仍能保持数据完整性和存储器功能。总的来说，新一代非易失性存储器技术的出现为高辐射环境下的应用提供了更可靠的解决方案。Weebit Nano等公司的不断研发和创新，将有助于推动这一领域的进步，为各种应用场景提供更可靠、更稳定的存储解决方案。

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