请教flash测试SDK的问题

Keil 2021 2025-11-18 11:12:01

MRS261L和MRS251都有以下现象,注:使用公版开发板,MCU对应型号和模式与程序一一对应,第一次烧录是XIP模式(默认模式,细看代码注释才发现要修改为SRAM模式,后续改为SRAM);
第一次烧录,会打印数据出来,但是后面重新上电,复位都没有串口数据了,重新烧录还有一些数据出来,但是并不完整(没有测试完成的打印);
第一次烧录是XIP模式,后续改为SRAM,发现重新上电,复位现象一样都没有数据打印,XIP模式重新烧录还能测试完成(test fnish),但SRAM输出一段就停了;

这个是什么问题?flash测试函数会把程序覆盖?

 

 

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您好,可以尝试一下将app_invert_busy()里面的system_suspend屏蔽掉试试看??

Keil 2021 2025-11-19
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@Possumic正和微芯官方 你好,我尝试了,但是现象还是一样的,app_flash_test_task()里的system_suspend也屏蔽了都一样,复位重新上电都不会输出了,而且我爬是还有存电,模组拔了好一会重新上电也没反应
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@Keil 2021 您好,屏蔽system_suspend,烧录sram的话解决的是跑一段时间不能跑的问题,烧录在sram的话掉电就没固件了,Flash烧录的话注意测试起始地址(至少大于固件size且4k对齐)不要把固件写坏了
Keil 2021 2025-11-19
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@Possumic正和微芯官方 可是我设置为XIP模式也是一样的情况,固件大小是看 Image New Size: 13232! 么? 我上位机下载都勾选了下载到flash,所以我认为掉电固件还在; 请问XIP和SRAM具体的区别是什么? 应该不会写坏,我发现第一次上电检测flash数据为APP_FLASH_DATA_DUMMY(0xFF)的时候正常输出,再复位(第二次上电)也能正常输出数据;第二次复位(第三次上电)就不行了,会不会和第二次上电时会执行flash_erase函数有关?
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